台積電昨（4）日首度揭露18吋晶圓廠的發展藍圖，台積電營運暨12吋廠副總經理王建光表示，台積電預定2016年設立試產線，2018年將以10奈米製程切入量產，未來18吋晶圓廠落腳中科的可能性極高。這是台積電在宣布入股半導體設備商艾司摩爾（ASML）後，首度明確對外揭露18吋晶圓廠布建及量產時程，領先英特爾、三星揭露未來布局。
王建光表示，今年是推動18吋晶圓興奮的1年，主要是今年初全球業者成立聯盟，英特爾、三星、台積電、IBM、格羅方德等5大半導體廠商均加入。
每家企業並派出20位技術專家，到紐約參與18吋晶圓的討論，希望以最經濟、有效的方式，來為18吋晶圓建立新的標準和規格，要讓18吋晶圓「一槍就能命中標的」，推出就能成功。
王建光表示，台積電首條試產線正於竹科或中科兩地進行評選，因18吋晶圓研發人員主要集中在竹科，公司希望試產線能設於竹科，但目前竹科廠用地全滿，未來18吋晶圓廠落腳在中科的可能性極高。
王建光強調，台積電入股及資助艾司摩爾18吋晶圓的關鍵技術－極紫外光（EUV）微影技術，目前的進度是希望艾司摩爾能於2015年向聯盟提出展示工具，並於2016年到2017年建立18吋晶圓的上下游供應鏈。
台積電也預定2016年取得EUV設備，先建1條生產線，同時開出台積電內部需要的技術和製程規範，和國內外設備廠商建立完整供應鏈，預估可於2018年切入10奈米製程量產，初期將量產行動晶片、繪圖晶片等產品。
台積電研發副總林本堅強調，目前規劃的製程演進，依序是28奈米再推至20、16及10奈米。
攸關這些先進製程的微影技術，20奈米仍沿用ASML的浸潤式曝光機採雙重曝光（Double Patterning），已進入試產，且有相當把握。
至於下世代的16奈米的FinFET製程，仍將持續採用雙重曝光技術，預料要到10奈米製程，才會用到EUV技術，不過也只能算半EUV，原因是部分製程仍會採用雙重曝光。
林本堅預估真正導入EUV微影技術會到7奈米，不過屆時或許另一電子光束（E-Beam）也趨成熟，台積電將會在EUV或E-Beam擇一切入，意謂摩爾定律再推進到7奈米不成問題。
【記者李珣瑛、簡永祥/台北報導】國際半導體設備暨材料產業協會（SEMI）昨（4）日發布統計及預測指出，這2年全球設備及材料市場的前景明朗，預估台灣在今、明兩年皆有超過90億美元（約新台幣2,700億元）的設備資本支出，顯示台灣在全球半導體市場舉足輕重的地位。
另外，台灣在半導體材料支出方面已超越日本，預計今年及明年將分別有102、108億美元投入市場，蟬聯全球最大的半導體材料消費市場。
SEMICON Taiwan 2012即將於今日起一連3天，在台北南港世貿展覽登場。
新聞辭典》18吋晶圓
18吋晶圓的大小如同是大披薩的加大版，披薩愈大可以切割出更多小片，換算每片披薩的單位價格也同步降低，這就是從12吋晶圓擴大至18吋的好處。
特別是在半導體界中，晶圓尺寸愈大，就有助於降低積體電路的製造成本，未來隨著行動裝置越來越輕薄短小，價格也不斷降低，裡面裝置的晶片也可能比人的小拇指指甲還小，18吋晶圓的需求隨之應運而生。
以個人電腦晶片為例，1片18吋（450mm）晶圓所產出的晶粒數，是12吋（300mm）晶圓所能產出的2倍以上，而較大尺寸的晶圓，將可降低每1顆晶片產品的生產成本。
18吋晶圓隨著摩爾定律的演進而發展，但晶圓越大，成本越高，晶片越來越微縮也考驗技術能力，所以能投入18吋晶圓廠商、且能量產者，代表擁有資金與技術的雙重競爭力。
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