台積電董事長張忠謀昨（18）日宣布，今年資本支出從90億美元（約新台幣2,700億元）調高到95億至100億美元（約新台幣2,850億元至3,000億元），調高幅度約5.5%至11%，再寫新高。張忠謀表示，台積電2009年開始啟動高資本支出、高研發政策，過去四年來，台積電每年營收締造新猷，四年來的年獲利也有三次創新高。這次調高資本支出，意味著台積電將啟動另一波高成長，未來三至五年的獲利年複合成長率將超過一成。
台積電也調高今年產能的年增目標，總產能從原先預估年增10%上升至11%，12吋總產能年增目標從15%提高到17%。
上修後的資本支出，有90%將用於28、20、16奈米以下的產能擴建，5%用於研發支出，包含10奈米與7奈米以下設計，2%用於特殊製程需求。
台積電今年的主要成長動能為28奈米，張忠謀說，28奈米市占居高不下，主要是因為台積電低耗能製程（LP）良率優於同業，加上Gate-Last為主的金屬閘極（HKMG）製程，有別於同業的Gate-First製程，大幅幫助客戶產品提升效能，客戶反應相當好。
台積電28奈米占第1季營收24%，已是營收最高製程來源，今年不只28奈米總產能要比去年大增三倍，營收也會比去年成長三倍，等於從去年615億元大增到1,845億元，占全年營收將超越三成。
台積電調高資本支出，主要投入20奈米與16奈米鰭式電晶體（Finfet）的前期投資，20奈米已有20個產品設計定案（Tape out）。張忠謀說，20奈米從2014年開始量產，預期20奈米第一年與第二年的產出，會比28奈米的前兩年產出來得大。
新聞辭典》20奈米、3D Finfet
隨著摩爾定律的演進，以前IC是「微電子」技術，因為電晶體的大小是在微米（百萬分之1米，也就是1/1,000,000）等級；2001年起，摩爾定律進到IC小於0.1微米，也就是小於100奈米，宣告步入奈米時代。
在半導體中，20奈米指的是「線寬」的粗細，20奈米是28奈米的下一世代技術，16奈半或14奈米則是20奈米的下一世代技術。
越小的線寬，代表電晶體的尺寸越小；線寬越細，元件就越小，每個晶片上所能儲存的資料量就越大，速度也越快。越小的晶片，越適合行動運算等各種裝置，符合輕薄短小、省電、高效能需求。
此外，進入16奈米以下的先進製程後，半導體將全面進入3D鰭式電晶體（Finfet）技術，這是一種新的互補式金氧半導體（CMOS）電晶體。
相較於傳統電晶體若要控制電流通過閘門，只能選擇在閘門的一側來控制，屬於平面式的結構；3D Finfet的閘門，是類似魚鰭般的三面立體式設計，能大幅改善電路控制，減少因通道貫穿所產生的漏電問題。
利用3D Finfet，將能順利讓晶片發展到10奈米以下。這項技術上的突破，未來可讓超級電腦設計成只有指甲般大小。
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